Исследователи уcовершенствовали ионную металлизацию тонкопленочных металлических покрытий, что существенно продлит срок службы чипов.
Исследователи из Токийского столичного университета использовали метод распыления мощных импульсных магнетронов (HiPIMS) для создания тонких пленок из вольфрама с беспрецедентно низким уровнем напряжения.
Они также минимизировали количество дефектов, чтобы сформировать кристаллические пленки с напряжениями всего 0,03 ГПа. Это открывает путь к созданию чипов нового поколения для всей электронной промышленности.
Читать на focus.ua