В Samsung открыли материал для создания новейших карт памяти
Республика Корея, 07 июл 2020. . В Samsung открыли новый материал, который будут применять в создании новейшей памяти. Его назвали аморфный нитрид бора.Сотрудники Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) совместно с коллегами из Кембриджского университета помогли исследователям из Samsung в открытие нового материала.Аморфный нитрид бора сильно приблизит создание полупроводниковых материалов нового поколения.
Материал станут применять в создании новейших NAND, то есть флеш-памяти, и при производстве DRAM — оперативной памяти.Одним из главных достоинств аморфного нитрида бора ученые назвали возможность его использования как изолирующего материала, сводящего электрические помехи к минимуму.Ранее LIVE24 сообщало, что
Читать на live24.ruОб этом же в других СМИ
В ЕС отказались открыть границы для Сербии и Черногории из-за коронавируса mk.ru / 3 года назад
Изменения в категориях А и В: новый список стран vkcyprus.com / 3 года назад
Samsung готовит бюджетный флагман Samsung Galaxy S20 Lite ridus.ru / 3 года назад
Показать ещё
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.