С помощью протонирования исследователи хотят создать многоуровневые устройств памяти с большой емкостью. Международная группа специалистов под руководством KAUST обнаружила, что протоны, вызывающие множественные фазовые переходы в сегнетоэлектрических материалах, могут помочь в разработке высокопроизводительных устройств памяти, например, нейроморфных чипов, работающих по принципу человеческого мозга, сообщает Interesting Engineering.
В своей опубликованной научной статье ученые пишут, что: "Ферроэлектрики, такие, как селенид индия, являются внутренне поляризованными материалами, которые меняют полярность при помещении в электрическое поле, что делает их привлекательными для создания технологий памяти".
Ученые говорят, что подобные устройства памяти не только требуют низких рабочих напряжений, но и демонстрируют отличные показатели максимальной долговечности и скорости чтения/записи, однако их емкость невелика.
Читать на focus.ua