Сегодня в новостях
Об этом же в других СМИ
IBM и Samsung преодолели физический барьер в 1 нм в создании микропроцессоров
IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем. Партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — конструкцию чипов, в которой часть компонентов устанавливается перпендикулярно друг к другу.
Уже на первом этапе разработки такая система оказалась способна удвоить производительность микросхем или снизить их энергопотребление на 85%.
Технология позволит обойти закон Мура и, в частности, создать смартфоны, работающие неделю без подзарядки, рассказали в IBM.
Читать на mediavektor.orgОб этом же в других СМИ
Samsung продала более 10 млн. смартфонов Galaxy S20 FE news.am / 2 года назад
Телевизоры Samsung будут поддерживать NFT cryptowiki.ru / 2 года назад
Компания Samsung представила «олимпийский» смартфон Galaxy Z Flip 3 за 1260 долларов news.am / 2 года назад
Показать ещё
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.