Украина Samsung технологии ibm Украина
/ itc.ua

IBM и Samsung анонсировали VTFET — перспективную технологию компоновки чипов с вертикальными транзисторами

Во время проведения конференции IEDM компании IBM и Samsung заявили, что они совершили прорыв в сфере разработки полупроводников.

Они представили новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле. В современных процессорах и системах-на-чипе транзисторы расположены горизонтально на поверхности кремния, а электрический ток течёт из стороны в сторону.

В то же время транзисторы VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг относительно друга, а ток течёт вертикально.

Читать на itc.ua
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.

Сейчас читают

DMCA