Во время проведения конференции IEDM компании IBM и Samsung заявили, что они совершили прорыв в сфере разработки полупроводников.
Они представили новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле. В современных процессорах и системах-на-чипе транзисторы расположены горизонтально на поверхности кремния, а электрический ток течёт из стороны в сторону.
В то же время транзисторы VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг относительно друга, а ток течёт вертикально.
Читать на itc.ua