Исследователи из Нижнего Новгорода предложили уникальный метод для получения нановключений гексагонального кремния. В его основе лежит традиционная технология микроэлектроники – ионная имплантация.
Она широко применяется в промышленности для введения примесей в полупроводники при создании диодов и транзисторов. По результатам исследования опубликована статья в высокорейтинговом журнале Applied Physics Letters.
До сих пор прогресс микроэлектроники базировался на кремниевых интегральных схем. Сегодня от электронных схем (носитель информации — электрон) переходят к фотонным (носитель информации — фотон, то есть свет).
Читать на vesti.ru