По ранее просочившимся утечкам и слухам, новый чип Snapdragon 8 Elite от Qualcomm покажет приличный прирост мощности, в сравнении с предшественником.
В недавних тестах чип показал впечатляющие результаты в тестах производительности, но столкнулся с проблемами перегрева и высоким энергопотреблением.Сообщается, что может быть две версии чипа: одна с максимальной рабочей частотой 4,09 ГГц, а другая — разогнанная до 4,32 ГГц.
В Geekbench разогнанная версия чипа показала 3 216 баллов в одноядерном и 10 051 балл в многоядерном тестах. Этот результат лучше на 35% в одноядерной производительности и на 30% в многоядерной в сравнении с предыдущими поколениями.
Читать на gagadget.com