Карине Сергеевна Полянская Украина Samsung чипы Карине Сергеевна Полянская Украина
/ itc.ua

Samsung в этом квартале запустит массовое производство по техпроцессу 3GAE с использованием транзисторов GAAFET (MBCFET)

Компания Samsung заявила, что она уже в этом квартале готовится к началу крупносерийного производства чипов на базе производственного процесса 3GAE (3 nm-class gate all-around early).

Это будет первая в отрасли производственная технология класса 3 нм, а также первый узел, в котором используются транзисторы GAAFET (gate-all-around field effect transistors). Обращение от редакции: Нашим защитникам из 115-й бригады, которая сейчас воюет на востоке, нужен пикап.

Реквизиты для перевода средств на карту monobank – Полянская Карине Сергеевна, номер карты 5375414101372265. Просим вас принять участие в сборе средств.Слава Украине!

Читать на itc.ua
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.

Сейчас читают

DMCA