Компания Samsung заявила, что она уже в этом квартале готовится к началу крупносерийного производства чипов на базе производственного процесса 3GAE (3 nm-class gate all-around early).
Это будет первая в отрасли производственная технология класса 3 нм, а также первый узел, в котором используются транзисторы GAAFET (gate-all-around field effect transistors). Обращение от редакции: Нашим защитникам из 115-й бригады, которая сейчас воюет на востоке, нужен пикап.
Реквизиты для перевода средств на карту monobank – Полянская Карине Сергеевна, номер карты 5375414101372265. Просим вас принять участие в сборе средств.Слава Украине!
Читать на itc.ua