Samsung разработала модули памяти DDR5 ёмкостью 512 ГБ с пропускной способностью до 7200 Мбит/с

Компания Samsung сообщила о разработке первых в отрасли модулей памяти DDR5, обладающих невероятной ёмкостью 512 ГБ. Такие модули ориентированы на применение в системах для обработки задач искусственного интеллекта, машинного обучения, гипермасштабных вычислений, аналитики, сетевых решений и других рабочих нагрузок с большим объёмом данных.

Новые модули памяти Samsung DDR5 емкостью 512 ГБ основаны на технологии HKMG (High-K Metal Gate), которая предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической константы и металлизированных затворов.

Эта же технология применяется и для изготовления модулей видеопамяти GDDR6. Она позволяет использовать модулям на 13% меньше энергии и снижает утечки энергии.