Специалисты Института физики полупроводников имени Ржанова разработали материал для мемристоров из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном.
Мемристор представляет собой элемент микроэлектроники, который изменяет уровень сопротивления при прохождении через него электрического заряда разной мощности.
При использовании низкого напряжения с него можно считать информацию, записанную более высоким напряжением. При этом циклы смены происх...
Читать на politexpert.net