Основной составляющей СВЧ-устройств являются транзисторы с высокой подвижностью электронов, которые создаются с помощью нитрида галлия (GaN), что позволяет снизить число транзисторов в каскадах СВЧ-устройств, увеличить их мощность и обеспечить стабильность работы при повышенных температурах, наличии радиационного фона.
Но проблемой при процессе синтеза является кислород, который может встраиваться в кристаллическую структуру полупроводникового материала GaN, изменяя электрофизические свойства....
Читать на popmech.ru