Необходимость расширения частотного диапазона для новых стандартов беспроводной связи и тотальная электрификация выдвинули вперёд полупроводники с широкой запрещённой зоной, работа которых сопровождается низкими энергетическими потерями.
Один из таких материалов — это карбид кремния (SiC), но его производство сопряжено с рядом трудностей, что делает материал дорогим.
Ответ нашли российские учёные, предложившие получать SiC из отходов древесины. В журнале Materials Chemistry and Physics группа учёных из НИТУ «МИСиС» и Томского политехнического университета сообщила об исследовании, в ходе которого был разработан быстрый метод производства высококачественного карбида кремния из дешёвых во всех смыслах отходов деревообрабатывающей
Читать на newsland.com