/ cnews.ru
Прорыв в разработке процессоров. IBM и Samsung готовы преодолеть барьер 1 нм и сделать новые чипы супермощными и энергоэффективными
Samsung и IBM создали технологию вертикального расположения транзисторов VTFET, способную резко увеличить производительность и энергоэффективность будущих процессоров, а также вывести их за пределы 1 нм.
По сравнению с современными чипами FinFET потребление энергии чипами VTFET ниже на 85%, а производительность выше вдвое. Светлое будущее микросхемКомпания IBM совместно с Samsung разработала технологию вертикального размещения транзисторов в кристаллах кремния, при помощи которой основанные на ней процессоры смогут стать гораздо более производительными.
Как пишет портал Engadget, в теории она может позволить преодолеть барьер в 1 нм и сделать компоновку будущих микросхем еще более плотной.Совместное детище Samsung и IBM носит название.
Читать на cnews.ruОб этом же в других СМИ
В НАМИ сделали новый беспилотник из Lada Vesta usedcars.ru / 2 года назад
На Урале впервые за одну операцию удалили опухоль и сделали новую челюсть rg.ru / 2 года назад
Россияне готовы потратить на празднование Нового года до 25 тысяч рублей versia.ru / 2 года назад
Показать ещё
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.