Ученые из Санкт-Петербургского Университета ИТМО впервые в России вырастили слиток объемного монокристалла оксида галлия высокого кристаллического качества, сообщает пресс-служба учреждения.
На создание полупроводника исследователи потратили около пяти лет. Кристаллы Ga2O3 можно использовать в силовой электронике и многих других устройствах.
Созданием этого вещества ученые заинтересовались еще в начала 2010-х годов. Тогда статью о свойствах и преимуществах трехвалентного оксида галлия выпустили японские ученые.
Читать на newinform.com