Москва Корея исследования память физика Москва Корея
/ polit.ru

Неровная поверхность электродов из рутения улучшает свойства резистивной памяти

Сотрудники группы атомно-слоевого осаждения Московского физико-технического института вместе с коллегами из Кореи изучили влияние дефектов поверхности одного из электродов на свойства ячейки резистивной памяти.

Оказалось, что при увеличении толщины электрода шероховатость его поверхности резко возрастает, а параметры ячейки памяти заметно улучшаются.

Результаты опубликованы в журнале ACS Applied Materials & Interfaces, кратко о них рассказала пресс-служба МФТИ. Некоторые вещества при подаче на них электрического напряжения могут переключаться из диэлектрического состояния в проводящее и обратно.

Читать на polit.ru
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.

Сейчас читают

DMCA