Сотрудники группы атомно-слоевого осаждения Московского физико-технического института вместе с коллегами из Кореи изучили влияние дефектов поверхности одного из электродов на свойства ячейки резистивной памяти.
Оказалось, что при увеличении толщины электрода шероховатость его поверхности резко возрастает, а параметры ячейки памяти заметно улучшаются.
Результаты опубликованы в журнале ACS Applied Materials & Interfaces, кратко о них рассказала пресс-служба МФТИ. Некоторые вещества при подаче на них электрического напряжения могут переключаться из диэлектрического состояния в проводящее и обратно.
Читать на polit.ru