Из двумерных материалов создали память с высокой емкостью

Запоминающие устройства, например, флэш-память, незаменимы в современном обществе. Плотность записи информации на эти носители серьезно выросла за последние 20 лет.

Однако для новых применений человечеству необходимы более емкие хранилища информации. Существующий подход к увеличению объема памяти и энергоэффективности за счет обработки кремниевых пластин вот-вот достигнет своего предела.

Поэтому ученые со всего мира стараются создать запоминающие устройства с другими принципами работы. Авторы нового исследования, опубликованного в журнале Advanced Functional Materials, разработали транзисторное запоминающее устройство, состоящее из слоистых двумерных материалов, таких как дисульфид рения (ReS2), гексагональный нитрид бора и графен.