Ученые-исследователи из Высшего технологического института Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT) вместе с коллегами из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета объявили об открытии нового многообещающего материала — аморфного нитрида бора (a-BN).
По мнению исследователей, это открытие позволит ускорить появление полупроводниковой продукции следующего поколения. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Nature.
С недавних пор лаборатория SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов, состоящих из одного слоя атомов.
Читать на itc.ua