Samsung
/ itc.ua

Исследователи Samsung открыли новый полупроводниковый материал

Ученые-исследователи из Высшего технологического института Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT) вместе с коллегами из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета объявили об открытии нового многообещающего материала — аморфного нитрида бора (a-BN).

По мнению исследователей, это открытие позволит ускорить появление полупроводниковой продукции следующего поколения. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Nature.

С недавних пор лаборатория SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов, состоящих из одного слоя атомов.

Читать на itc.ua
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.

Сейчас читают

DMCA