Компания GOODRAM сообщила о выпуске нового высокоскоростного твердотельного накопителя IRDM M.2. Твердотельный накопитель GOODRAM IRDM M.2 выполнен на базе 8-канального контроллера Phison E12 и чипов флэш-памяти TLC 3D NAND.
Новинка использует интерфейс подключения PCIe 3×4 и оснащена DRAM буфером, который призван обеспечить стабильную работу при интенсивных нагрузках.
На выбор пользователей предлагаются модели ёмкостью 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Устройство обеспечивает скорость чтения до 3200 МБ/с и скорость записи до 3000 МБ/с.
Читать на itc.ua