Сегодня в новостях
Об этом же в других СМИ
interfax.ru / 3 года назад
korrespondent.net / 3 года назад
/ itc.ua
Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET
Об успехах в освоении следующего шага технологических норм (3 нм) и литографических технологий Samsung Foundry рассказала в рамках Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) — там же был продемонстрирован прототип 3-нм кристалла памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET.
На сегодняшний день наиболее передовым техпроцессом, освоенным TSMC и Samsung в серийном производстве, является 5-нанометровый.
Важно оговорить, что технологии Samsung 5LPP и TSMC N5 — разные и не совместимы между собой, хотя и обе основаны на литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
Читать на itc.uaОб этом же в других СМИ
Lida Lee выпустила клип, снятый на Samsung S21 korrespondent.net / 3 года назад
Samsung установил на смартфоны неудаляемые приложения российских компаний 5-tv.ru / 3 года назад
«Яндекс» попросил Samsung не устанавливать свои приложения без возможности удаления forbes.ru / 3 года назад
Показать ещё
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.