Москва. 12 ноября. INTERFAX.RU - Ученые Института физики полупроводников имени Ржанова (ИФП, Новосибирск) создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью), в тысячу раз более эффективных, чем флеш-память, сообщает пресс-служба ИФП.
Материал представляет собой композит из наночастиц оксида ванадия, проводящих электрический ток, покрытых фторированным графеном, выполняющим роль изоляции. "Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элемен...
Читать на interfax.ru