SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной способностью.

Без малого год потребовалось SK Hynix, чтобы развернуть полномасштабное производство — разработка HBM2E была завершена в августе 2019 года.

Основные реципиенты HBM (high-bandwidth memory) — высокопроизводительные ускорители вычислений для суперкомпьютеров. По сравнению со старой памятью HBM2, использующейся сейчас в суперкомпьютерах и графических ускорителей, новая HBM2E обеспечивает в 1,5 раза большую пропускную способность — до 460 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук).