Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд, — сообщили в институте.
Уточняется, что время переключения изобретённой ячейки памяти измеряется в наносекундах, что примерно в 1000 раз меньше, чем у распространённой флэш-памяти.
Читать на news.ru