Сегодня в новостях
Об этом же в других СМИ
/ itc.ua
Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе своего 3-нанометрового технологического узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).
Помогаем Поможем собрать 300 тыс. грн на снаряжение для 113-й бригады, которая воюет в Харьковской области Отметим, архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года.
Она должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — кольцевые затворы (отсюда и название gate-all-around FET).
Читать на itc.uaОб этом же в других СМИ
Bosch вложит €3 млрд в разработку и производство чипов до 2026 года bin.ua / 1 год назад
Следующий флагман Samsung Galaxy S, вероятно, обойдётся без процессоров Exynos в глобальных версиях – Минг-Чи Куо itc.ua / 1 год назад
Samsung выпускает 3-нм продукцию в сильно ограниченных количествах bin.ua / 1 год назад
Показать ещё
Сайт imag.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.