Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирского государственного университета, Новосибирского государственного технического университета и Национального университета Чао Тунг (Тайвань) создали материал на основе нитрида кремния для высокопроизводительной энергонезависимой резистивной памяти.
Читать на polit.ru